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晶圓EMC開槽設備

利用激光對晶圓上大顆芯片應力集中的四角位置進行開槽加工,阻斷應力延申,解決芯片因應力集中導致塑封開裂的問題。

  • 咨詢電話:400 8017 001
  • 電子郵箱:contact@delphilaser.com

■ 設備參數:

設備能力

設備能力

EMC開槽、Edge trim

激光類型

UV(Ps)

加工材料

EMC、Si、Pi 等

晶圓尺寸

12"

加工能力

加工后無隱裂crack,無凸起殘留,不影響HBM

晶圓厚度

≥200μm

加工精度

EMC開槽:tolerance≤±20μm,80≤target≤120μm

Edge trim:tolerance≤±30μm

晶圓翹曲

200-1000μm,≤5mm

1000-2000μm,≤3mm

錐度要求

加工400μm 深度的孔型,上下孔尺寸差≤100μm   (D1-D2≤100μm)

上料模組

Bare wafer Load Port*2

設備附加能力

Coating功能    二流體清洗

通訊方式

SECS/GEM


 

■ 功能:

      設備同時具備鍵合晶圓解鍵合之前的edge trim工藝。


■ 加工效果示例圖

       



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